Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSD214SN L6327
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSD214SN L6327-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Hàng tồn kho:
12829220
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSD214SN L6327 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
-
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
143 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-SOT363-PO
Gói / Trường hợp
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
BSD214SNH6327XTSA1
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5980
DiGi SỐ PHẦN
BSD214SNH6327XTSA1-DG
ĐƠN GIÁ
0.07
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BUK9Y12-80E,115
MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
BUK9215-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
BUK9J0R9-40HX
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
